{"id":18674,"date":"2024-03-18T11:00:00","date_gmt":"2024-03-18T10:00:00","guid":{"rendered":"https:\/\/fmd-insight.de\/?p=18674"},"modified":"2026-02-11T10:18:48","modified_gmt":"2026-02-11T09:18:48","slug":"prozesstechniken-am-beispiel-wafer-bumping-mikroelektronik-teil-8","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/news\/tutorials\/einfuehrung-mikroelektronik\/prozesstechniken-am-beispiel-wafer-bumping-mikroelektronik-teil-8\/","title":{"rendered":"Prozesstechniken am Beispiel Wafer Bumping<\/strong> | Einf\u00fchrung in die Mikroelektronik \u2013 Teil 8"},"content":{"rendered":"\n
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In Teil sieben<\/a> unserer Reihe Einf\u00fchrung in die Mikroelektronik hat FMD-Experte Dr. Michael T\u00f6pper<\/a> bereits \u00fcber das Thema Wafer Bumping gesprochen. Der achte Teil der Videoreihe legt den Fokus speziell auf dieses Verfahren und erkl\u00e4rt drei Grundprozesse, die beim Wafer Bumping eine wichtige Rolle spielen.<\/p>\n

F\u00fcr das Wafer Bumping sind vor allem die drei Grundprozesse (1) Sputtern<\/strong> (deutsch \u00bbKathodenzerst\u00e4ubung\u00ab), (2) Lithografie<\/strong> sowie (3) Galvanisieren<\/strong> <\/a>relevant. Der erste Schritt beim Sputtern ist in der Regel das Entfernen der Aluminiumoxidschicht oder einer anderen vorhandenen Oxidschicht bei anderen Metallisierungen, denn diese verhindert elektrisches Leiten. W\u00e4hrend des Sputterns werden energiereiche Teilchen auf ein Target geschossen, das aus Metall besteht. In der Folge l\u00f6sen sich Metallatome, die sich dann auf dem Wafer niederschlagen. So k\u00f6nnen durch das Sputtern nach und nach sehr d\u00fcnne Metallschichten abgeschieden werden. Das Sputtern erfolgt immer im Vakuum, da sich sonst eine neue Oxidschicht auf dem Wafer bilden w\u00fcrde. Da dieser Prozess durch das Abschie\u00dfen energiereicher Teilchen auf ein Target erfolgt, wird das Verfahren auch als physikalisches Abscheiden (Physical Vapour Deposition (PVD)<\/strong>) bezeichnet. Anschlie\u00dfend werden durch das Lithografie-Verfahren (siehe auch Teil 5, ASML<\/a>) geometrische Muster mithilfe von Strahlung von einer Fotomaske auf einen lichtempfindlichen Fotolack auf dem Substrat \u00fcbertragen. Heute wird dazu vor allem das Step-and-Repeat-Verfahren<\/strong> angewendet, bei dem nicht mehr die ganze Waferfl\u00e4che belichtet wird, sondern nur noch ein Reticle<\/strong> (deutsch \u00bbFotomaske\u00ab).<\/p>\n\n <\/div>\n <\/div>\n \n <\/div>\n\n\n

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©<\/span>Fraunhofer IZM<\/div><\/div>\n <\/div>\n\n\n
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W\u00e4hrend der Galvanisierung wird die Oberfl\u00e4che des Wafers so vorbehandelt, dass sie leitf\u00e4hig wird. Dazu wird der Wafer entweder vertikal (Rack Plater<\/strong>) oder horizontal (Fountain Plater<\/strong>) in eine Elektrolyt-Mischung getaucht, sodass sich die gel\u00f6sten Metallkationen reduzieren und auf der Waferoberfl\u00e4che abscheiden k\u00f6nnen. Diese Elektrolytl\u00f6sungen sind hochkomplexe Mischungen aus verschiedenen Salzen und Additiven und erfordern gro\u00dfe Sorgfalt bei der Kontrolle der Zusammensetzung.<\/p>\n\n <\/div>\n <\/div>\n \n <\/div>\n\n\n