{"id":32175,"date":"2025-11-04T09:10:00","date_gmt":"2025-11-04T08:10:00","guid":{"rendered":"https:\/\/fmd-insight.de\/?p=32175"},"modified":"2025-12-08T09:57:24","modified_gmt":"2025-12-08T08:57:24","slug":"moderne-halbleiterprozesse-beschichtungen-wide-bandgap-materialien","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/news\/interviews\/moderne-halbleiterprozesse-beschichtungen-wide-bandgap-materialien\/","title":{"rendered":"Moderne Halbleiterprozesse im Fokus<\/strong> | \u00dcber Beschichtungen und Aktivierungsprozesse f\u00fcr Wide-Bandgap-Materialien"},"content":{"rendered":"\n
©<\/span>Adobe Stock | Vitte Yevhen <\/div><\/div><\/div>\n
\n
\n
\n \n \n \"\"\n <\/picture><\/div><\/div><\/div>\n <\/div>\n <\/div>\n
\n
\n

Im Interview: Dr. Ina Ostermay vom Leibniz FBH<\/strong><\/p>\n<\/div><\/div><\/div> \n <\/div>\n\n \n <\/div>\n\n\n

\n
\n \n

Halbleiter sind die Bausteine moderner Technologie. Doch welche Prozessschritte sind n\u00f6tig, um aus Materialien leistungsstarke Bauelemente zu fertigen? Im Interview gibt Dr. Ina Ostermay vom Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut f\u00fcr H\u00f6chstfrequenztechnik (FBH)<\/a> spannende Einblicke in ihre Arbeit mit hochmodernen Beschichtungstechnologien. Sie erkl\u00e4rt, wie zwei Hochtemperaturanlagen, darunter eine PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) und eine RTA (Rapid Thermal Annealing), Prozesse erm\u00f6glichen, die sowohl die Qualit\u00e4t als auch die Leistungsf\u00e4higkeit von Wide-Bandgap-Halbleitermaterialien verbessern.<\/strong><\/p>\n\n <\/div>\n <\/div>\n \n <\/div>\n\n\n

Frau Dr. Ostermay, Sie arbeiten am Leibniz FBH als Wissenschaftlerin in der Prozesstechnologie. Welche Aufgabenbereiche umfasst Ihre Arbeit?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Unsere Abteilung betreibt die Reinr\u00e4ume des Instituts. Dort prozessieren wir die nackten Wafer bis hin zu vollst\u00e4ndig strukturierten Bauelementen, wie sie sp\u00e4ter im Haus weiterverarbeitet werden. Ich selbst bin Gruppenleiterin f\u00fcr den Bereich Beschichtungstechnologien. Das bedeutet, ich besch\u00e4ftige mich mit der Abscheidung metallischer und isolierender Schichten auf den Wafern. Zus\u00e4tzlich betreue ich den Bereich der thermischen Behandlung \u2013 sogenannte Annealing-Prozesse, bei denen Wafer bei hohen Temperaturen ausgeheizt werden, um Kontakte zu formieren.<\/p>\n

 <\/p>\n

Grunds\u00e4tzlich ist meine Arbeit sehr vielseitig. Es gibt in fast jedem Projekt Schnittstellen zur Beschichtungstechnologie, etwa wenn neue Herausforderungen auftauchen oder technische Probleme gel\u00f6st werden m\u00fcssen. Das geh\u00f6rt zu meinem Tagesgesch\u00e4ft. Ich bin auch regelm\u00e4\u00dfig beteiligt, wenn neue Projekte initiiert werden und mein Fachgebiet eine Rolle spielt. Dann unterst\u00fctze ich direkt von Anfang an mit meiner Expertise. Dar\u00fcber hinaus verfolge ich auch eigene Forschungsprojekte \u2013 zum Beispiel im Bereich Hochtemperatur-Annealing, um Materialeigenschaften in unserem Sinne zu beeinflussen. Diese Arbeiten liefern oft wichtige Beitr\u00e4ge f\u00fcr andere Projektgruppen im Haus. Dazu z\u00e4hlen u. a. Entwicklungen im Bereich der Galliumnitrid-Elektronik, die dazu beitragen, die Leistungsf\u00e4higkeit der Bauelemente weiter zu steigern.<\/p>\n

 <\/p>\n

Aktuell betreue ich zudem einen Doktoranden, der an verspannten Siliziumnitrid-Schichten arbeitet. Auch das ist Teil unserer eigenen Forschungsaktivit\u00e4ten innerhalb der Gruppe.<\/p>\n<\/div>

Wie l\u00e4sst sich Ihre Arbeit innerhalb des gesamten Halbleiterherstellungsprozesses einordnen \u2013 zum Beispiel im Vergleich zu Galvanik oder Implantation?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Meine Prozesse kommen an mehreren Stellen innerhalb des gesamten Fertigungsprozesses zum Einsatz. Damit z. B. \u00fcberhaupt galvanisch abgeschieden werden kann, braucht man sogenannte Seedlayer \u2013 Startschichten, dank derer die Galvanik arbeiten kann. Diese Schichten bringt meine Arbeitsgruppe auf die Wafer auf.<\/p>\n

 <\/p>\n

Auch bei der Ionenimplantation spielt unser Bereich eine Rolle. Meistens werden Schutz- oder Streuschichten ben\u00f6tigt, durch die hindurch implantiert wird. Solche Schichten kommen ebenfalls aus unserer Gruppe. Nach der Implantation folgt das sogenannte Aktivieren der eingebrachten Ionen. Dabei wird das Kristallgitter wiederhergestellt. Das geschieht durch thermische Prozesse, also Annealing, f\u00fcr die ich ebenfalls zust\u00e4ndig bin.<\/p>\n

 <\/p>\n

Man kann also sagen: Meine Arbeit ist immer dann gefragt, wenn es um eine Form der Beschichtung geht \u2013 und davon gibt es im Verlauf der Bauelementherstellung einige.<\/p>\n<\/div>

Wie kann man sich einen typischen Beschichtungsprozess vorstellen?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Ein Beschichtungsprozess setzt meistens voraus, dass vorher eine Lithographie erfolgt ist. Die Wafer kommen also mit einer vorstrukturierten Lackmaske zu uns und wir bauen sie direkt in unsere Anlagen ein. Diese Anlagen sind im Grunde gro\u00dfe Vakuumreaktoren. Das Vakuum ist n\u00f6tig, weil viele Beschichtungsprozesse nur unter diesen Bedingungen optimal ablaufen. Entsprechend wird viel Pumptechnik eingesetzt und oft auch Sichtfenster genutzt, durch die man den Prozess beobachten kann. Es gibt viele unterschiedliche Varianten, abh\u00e4ngig vom Verfahren und vom gew\u00fcnschten Schichttyp \u2013 ob Elektronenstrahlbedampfen, DC- oder RF-Sputtern, Atomlagenabscheidung oder PECVD, um nur einige zu nennen.<\/p>\n

 <\/p>\n

Einige Verfahren ben\u00f6tigen zus\u00e4tzliche Unterst\u00fctzung. W\u00e4hrend der Beschichtung brennt dann ein leuchtendes Plasma, das man je nach Gaszusammensetzung als rosa oder violett wahrnimmt. Das sieht nicht nur beeindruckend aus, sondern ist auch ein Zeichen f\u00fcr bestimmte physikalische Vorg\u00e4nge, die w\u00e4hrend der Schichtabscheidung ablaufen.<\/p>\n<\/div>

Lassen Sie uns einen Blick auf diese Anlagen werfen. Was f\u00fcr Maschinen sind das genau?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Ich selbst besch\u00e4ftige mich vor allem mit den im Rahmen der FMD neu beschafften Anlagen. Dort arbeiten wir an Prozessen, die oft technologisches Neuland sind \u2013 also Verfahren, die so vorher noch niemand durchgef\u00fchrt hat. Gerade wenn Kolleg:innen mit sehr speziellen Anforderungen kommen, bei denen der Ausgang des Experiments noch v\u00f6llig offen ist, bin ich direkt eingebunden. Das sind dann genau die F\u00e4lle, in denen wir gemeinsam \u00fcberlegen m\u00fcssen: Wie kann das prozesstechnisch \u00fcberhaupt umgesetzt werden? Und was passiert da eigentlich genau? Deshalb ist es mir auch wichtig, selbst mit im Reinraum zu stehen. Nicht nur, um Prozesse zu begleiten, sondern auch, um mir die Wafer oder Proben mit meinen Kolleg:innen gemeinsam anzuschauen. Vier Augen entdecken einfach mehr.<\/p>\n

 <\/p>\n

Ich besch\u00e4ftige mich also vor allem mit den Qualifikationen neuer Maschinen, mit neuen Prozesskonzepten und Technologien, die wir gerade erst in die Infrastruktur eingebracht haben. Und genau das macht es f\u00fcr mich so spannend.<\/p>\n<\/div>

K\u00f6nnen Sie ein konkretes Beispiel f\u00fcr eine solche Maschine geben?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Ein konkretes Beispiel f\u00fcr eine unserer Maschinen ist die PECVD-Anlage. Mit dieser bringen wir Siliziumnitrid-Schichten auf Wafer auf, also isolierende Schichten, die in der Halbleiterfertigung zur Passivierung genutzt werden.<\/p>\n

 <\/p>\n

In der klassischen Siliziumindustrie geschieht das meist \u00fcber rein thermische Verfahren bei sehr hohen Temperaturen von ca. 750 bis 800 Grad. Damit lassen sich exzellente Materialeigenschaften erzielen. Das Problem ist: Viele Materialien, insbesondere aus der III-V-Halbleitertechnologie wie etwa Galliumarsenid, vertragen solche Temperaturen nicht. Sie zersetzen sich zum Teil schon bei 600 Grad. Deshalb haben sich in der Technologie f\u00fcr Verbindungshalbleiter Niedrigtemperatur-Plasmaverfahren etabliert, bei denen man typischerweise mit etwa 300 Grad arbeitet. Diese Verfahren sind materialschonend, die Qualit\u00e4t der abgeschiedenen Schichten ist jedoch deutlich geringer.<\/p>\n

 <\/p>\n

Mit der Anlage, die wir im Rahmen des Aufbaus der FMD beschafft haben, schlie\u00dfen wir genau diese L\u00fccke. Die Maschine ist eine Anlage, die Plasmaprozesse bei sehr hohen Temperaturen (bis zu 800 Grad) erm\u00f6glicht, die f\u00fcr thermisch stabile Materialien wie Galliumnitrid ideal geeignet sind. Das hei\u00dft, wir kombinieren den thermischen Prozess, den man aus der Siliziumindustrie kennt, mit einer Plasmaabscheidung, wie sie in der III-V-Halbleitertechnologie etabliert ist. Unsere Anlage verbindet beide Verfahren \u2013 je nach Anforderung. Damit k\u00f6nnen wir jetzt hochwertige, dichte und spannungsreiche Siliziumnitrid-Schichten erzeugen, die eine deutlich bessere Passivierungsqualit\u00e4t bieten als bisher m\u00f6glich.<\/p>\n<\/div>

Was genau bedeutet bessere Passivierung? Warum ist das so besonders?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Passivierung meint in unserem Kontext, dass die Oberfl\u00e4che eines Bauelements durch eine Schutzschicht abgedeckt wird, um sie elektrisch zu isolieren und gleichzeitig vor Umwelteinfl\u00fcssen zu sch\u00fctzen. Mit der neuen Anlage entstehen extrem dichte und verunreinigungsarme Schichten. Die Anlage erm\u00f6glicht also deutlich robustere und langlebigere Bauelemente.<\/p>\n

Die Plasmaabscheidungen bei so hohen Temperaturen durchf\u00fchren zu k\u00f6nnen, ist wirklich eine technologische Besonderheit. Ich kenne zumindest niemanden, der das genauso betreibt.<\/p>\n<\/div>

Und wie wird diese neue Technik aktuell eingesetzt?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Ein Doktorand in meiner Gruppe arbeitet zurzeit intensiv mit dieser Anlage. Er bringt die neuen Hochtemperatur-Schichten in Galliumnitrid-basierte Bauelemente ein, was technologisch sehr anspruchsvoll ist. Er stellt dabei die Verspannung der Passivierungsschichten gezielt ein und ist so in der Lage, Transistoreigenschaften wie z.\u00a0B. die Schwellspannung direkt zu beeinflussen. Er hat bereits erste Ergebnisse vorgestellt, die sehr vielversprechend aussehen.<\/p>\n

Solche Projekte zeigen, wie wichtig es ist, dass wir nicht nur bestehende Prozesse bedienen, sondern auch neue Ans\u00e4tze entwickeln \u2013 mit Ger\u00e4ten, die es so in kaum einem anderen Reinraum gibt.<\/p>\n<\/div>

Nachdem wir ausf\u00fchrlich \u00fcber die Besonderheiten der Hochtemperatur-PECVD-Anlage gesprochen haben, wollen wir jetzt eine weitere wichtige Spezialmaschine betrachten: die RTA. K\u00f6nnen Sie uns erkl\u00e4ren, was das f\u00fcr eine Maschine ist und welche besonderen Anforderungen sie erf\u00fcllt?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Die Hochtemperatur-RTA ist eine Anlage, mit der wir Proben sehr schnell thermisch aufheizen k\u00f6nnen, denn RTA steht f\u00fcr \u00bbRapid Thermal Annealing\u00ab. Das ist gerade bei unseren III-V-Halbleitern, speziell den sogenannten Wide-Bandgap-Materialien wie Galliumnitrid (GaN), sehr wichtig. Diese Materialien haben viele Vorteile, sind aber technisch anspruchsvoll zu bearbeiten.<\/p>\n<\/div><\/div>\n\n\n

\n \n
\n
\n
\n \n \n \"\"\n <\/picture><\/div><\/div><\/div>
Dr. Ina Ostermay arbeitet am Leibniz FBH als Wissenschaftlerin in der Prozesstechnologie
©<\/span>Fraunhofer Mikroelektronik<\/div><\/div>\n<\/div><\/div>\n

Eingesetzt wird die RTA direkt nach der Ionenimplantation, also in einem sehr fr\u00fchen Prozessschritt. Nach der Implantation m\u00fcssen die eingebrachten Dotanden \u2013 also die Ionen, die bestimmte elektrische Eigenschaften erzeugen sollen \u2013 aktiviert werden. Und das gelingt nur durch hohe Temperaturen. Bei Wide-Bandgap-Materialien wie GaN braucht es daf\u00fcr allerdings h\u00f6here Temperaturen als herk\u00f6mmliche RTA-Anlagen erreichen.<\/p>\n

Mal als Vergleich: F\u00fcr die Aktivierung von Magnesium, das wir in Galliumnitrid implantieren, sind Temperaturen von \u00fcber 1300 Grad notwendig. Klassische RTA-Anlagen, wie man sie etwa aus der Siliziumindustrie kennt, schaffen meist nur 1100 bis 1250 Grad. Unsere Anlage wurde daher speziell f\u00fcr uns entwickelt und erreicht Temperaturen bis zu 1600 Grad. Das ist eine ganz besondere technologische M\u00f6glichkeit, die nur wenige Einrichtungen aktuell anbieten k\u00f6nnen.<\/p>\n<\/div><\/div><\/div>\n <\/div>\n <\/div>\n\n\n\n

K\u00f6nnen Sie den Fertigungsprozess einmal skizzieren und dabei einordnen, an welchen Stellen die RTA-Anlage im Vergleich zur PECVD-Anlage typischerweise zum Einsatz kommt?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Ganz am Anfang steht meistens eine Passivierung, bei der die Wafer mit einer hochwertigen Siliziumnitrid-Schicht versehen werden. Daf\u00fcr nutzen wir die PECVD-Anlage. Es folgen Prozessschritte, bei denen die Passivierung gegebenenfalls von den aktiven Gebieten durch Plasma\u00e4tzen wieder entfernt wird. Durch lithografische Prozesse, also Lackmasken, werden au\u00dferdem Gebiete definiert, in denen die Leitf\u00e4higkeit gezielt ver\u00e4ndert werden soll. Dort folgt u. a. die Ionenimplantation<\/a>, also das gezielte Einbringen von Dotierstoffen ins Material. Diese Dotanden werden durch das Ausheizen mit der Hochtemperatur-RTA elektrisch wirksam. Wichtig ist, dass dieser Hochtemperaturprozess m\u00f6glichst fr\u00fch erfolgt, bevor empfindliche Schichten oder Kontakte auf dem Wafer sind. Anschlie\u00dfend eingesetzte Materialien w\u00fcrden die extremen Temperaturen nicht \u00fcberstehen.<\/p>\n

 <\/p>\n

Deutlich sp\u00e4ter im Prozess, wenn bereits viele andere Bearbeitungsschritte abgeschlossen sind, kommen dann unterschiedliche Verfahren zum Einsatz, mit denen Metallkontakte aufgebracht werden. Zum einen nutzen wir unsere Elektronenstrahlbedampfungsanlage<\/a>, mit der wir d\u00fcnne Metallschichten schnell und schonend auf die Wafer aufbringen. Zum anderen wird in weiteren Prozessschritten die Galvanik<\/a> eingesetzt, bei der durch elektrochemische Verfahren Metall auf der Oberfl\u00e4che abgeschieden wird. Beide Verfahren sind hochsensibel und erfordern sehr saubere und gut vorbereitete Oberfl\u00e4chen, die durch die vorherigen Prozessschritte geschaffen wurden.<\/p>\n<\/div>

Welche M\u00f6glichkeiten bieten Sie der Industrie, um von den Technologien zu profitieren?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Industriekunden k\u00f6nnen z. B. unsere RTA-Anlage f\u00fcr eigene Prozessschritte nutzen. Sie k\u00f6nnen Wafer mitbringen, die bereits implantiert wurden, und wir f\u00fchren dann das Rapid Thermal Annealing bei uns durch. Dieser Prozess kann auch als eigenst\u00e4ndiger Schritt genutzt werden, sodass Kooperationspartner nicht die gesamte Fertigung bei uns durchlaufen m\u00fcssen, um von der Technologie zu profitieren.<\/p>\n<\/div>

Lassen Sie uns noch einen Blick auf das Thema Ressourceneffizienz werfen. Wie nachhaltig ist so eine Hochtemperaturanlage wie die RTA im Betrieb?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Der Betrieb eines Reinraums ist per se energieintensiv \u2013 mit jeder Menge Hochleistungsanlagen, L\u00fcftung und Klimatechnik. So ben\u00f6tigt unsere Hochtemperatur-RTA-Anlage, die bis zu 1600 Grad erreicht, eine Anschlussleistung von rund 150 Kilowatt. Die Prozesse sind sehr spezialisiert und werden nur dann angewendet, wenn es wirklich notwendig ist. Ein Wafer durchl\u00e4uft diesen Schritt also nicht mehrfach. Nat\u00fcrlich gibt es energietechnische Aspekte, die wir ber\u00fccksichtigen. Die RTA ben\u00f6tigt \u2013 wie viele andere Anlagen auch \u2013 eine Vakuumpumpe, um Prozessgase abzutransportieren. Hier verwenden wir moderne, stromsparende Pumpmodelle, um den Energieverbrauch so gering wie m\u00f6glich zu halten.<\/p>\n

 <\/p>\n

Au\u00dferdem betreiben wir einen hohen Aufwand, um sicherzustellen, dass durch unsere Prozesse keine sch\u00e4dlichen Stoffe in die Umwelt gelangen. Nachhaltigkeit bedeutet f\u00fcr uns, m\u00f6glichst schonend mit Ressourcen und Emissionen umzugehen. Aber nat\u00fcrlich gilt: Wenn man Temperaturen von 1600 Grad erreichen m\u00f6chte, braucht man daf\u00fcr die entsprechende Energie. Ideal w\u00e4re nat\u00fcrlich, wenn diese aus erneuerbaren Quellen, etwa einem nahegelegenen Windpark, stammen w\u00fcrde. Aber das haben wir selbst nicht in der Hand.<\/p>\n<\/div>

Wie lange arbeiten Sie schon an diesen Maschinen bzw. an dem Thema?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Ich besch\u00e4ftige mich schon seit 2013 mit dem Bereich der Beschichtungstechnologie. Seit etwa f\u00fcnf Jahren arbeite ich besonders intensiv an der Dotanden-Aktivierung f\u00fcr Wide-Bandgap-Materialien mit unserer Hochtemperatur-RTA-Anlage. Da begann die Arbeit tats\u00e4chlich schon vor der Inbetriebnahme der Anlage \u2013 mit Demonstrationen und Gespr\u00e4chen mit Fachkolleg:innen. Die Anlage selbst wurde 2021 in Betrieb genommen und seitdem arbeite ich mit meinem Team regelm\u00e4\u00dfig daran.<\/p>\n<\/div>

Wenn man so oft mit einer Anlage arbeitet, kennt man Prozesse und Abl\u00e4ufe vermutlich in- und auswendig.<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Schon. Dennoch gibt es auch immer Neues zu erforschen. Ich w\u00fcrde z. B. gern noch mehr Zeit in die Optimierung dieser Prozesse investieren. Die Anlage bietet viele M\u00f6glichkeiten, insbesondere bei der Steuerung der Temperatur und der Auswahl geeigneter Prozessgase. Standardm\u00e4\u00dfig arbeiten wir mit Stickstoff, was gerade im Galliumnitrid-System sehr sinnvoll ist. Die Anlage kann aber auch mit anderen Gasen genutzt werden, etwa Formiergas, also einer Mischung aus Wasserstoff und Argon, oder reines Argon. Diese Varianten haben wir bisher nur selten eingesetzt, aber sie bieten spannende Optionen, die ich gerne noch weiter testen w\u00fcrde.<\/p>\n<\/div>

Das klingt nach einigen Herausforderungen, aber auch nach Abwechslung. Gibt es in Ihrer Arbeit bestimmte Momente, auf die Sie sich immer besonders freuen?<\/p>\n<\/div>

<\/span>

Besonders sch\u00f6n sind die Tage, an denen wir im Team eine komplexe Herausforderung l\u00f6sen konnten, insbesondere bei neuartigen Prozessen oder wenn sich durch kleine Optimierungen ein deutlicher Fortschritt zeigt. Dann geht man abends mit einem richtig guten Gef\u00fchl nach Hause. Ich bin grunds\u00e4tzlich einfach gern im Reinraum, direkt an den Anlagen und Proben, auch wenn das mein Schreibtisch nicht immer zul\u00e4sst.<\/p>\n<\/div><\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

Halbleiter sind die Bausteine moderner Technologie. Doch welche Prozessschritte sind n\u00f6tig, um aus Materialien leistungsstarke Bauelemente zu fertigen? Im Interview gibt Dr. Ina Ostermay vom Leibniz FBH spannende Einblicke in ihre Arbeit mit hochmodernen Beschichtungstechnologien. <\/p>\n","protected":false},"author":138,"featured_media":32183,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":true,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[9],"tags":[],"class_list":["post-32175","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-interviews"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/32175","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/138"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=32175"}],"version-history":[{"count":9,"href":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/32175\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":32699,"href":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/32175\/revisions\/32699"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/32183"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=32175"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=32175"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/fmd-insight.de\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=32175"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}