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Fraunhofer IAF
Tullastraße 72
79108 Freiburg

  • Webseite
  • +49 761 5159-0
Standort: Freiburg im Breisgau
Gründung: 1957
Leitung:
  • Prof. Dr. Rüdiger Quay

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF

Das Fraunhofer IAF treibt die Forschung und Entwicklung innovativer Halbleitertechnologien mit verschiedenen Entwicklungen voran. Dazu gehören, um nur einige Beispiele zu nennen, Hochfrequenz-Schaltungen für die Kommunikationstechnik, energieeffiziente Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für die spektroskopische Sensorik, neuartige Hardware für Quantencomputer und Quantensensoren auf Basis von Diamant.

Mithilfe von III/V-Halbleitern werden elektronische und optoelektronische Bauelemente für eine breite Palette von Anwendungen entwickelt. Als eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen auf diesem Gebiet deckt das Fraunhofer IAF die gesamte Wertschöpfungskette ab. Die Kernkompetenzen erstrecken sich von der Materialforschung über Entwurf, Technologie und Schaltungen bis hin zu Modulen und Systemen.

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»Mir ist es wichtig, das Institut moderner zu gestalten – sowohl die Themen als auch die Strukturen. Quantentechnologien sind ein wichtiges Zukunftsthema, bei dem wir eine führende Rolle einnehmen wollen, wobei das nicht im Widerspruch steht zu den vielen Chancen im Bereich der eher klassischen Fraunhofer IAF-Themen in der Hochfrequenz-, Leistungs-, und Optoelektronik.«

Prof. Dr. Rüdiger Quay, Institutsleiter des Fraunhofer IAF

Forschungsgebiete

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Hochfrequenzelektronik

  • InGaAs- oder AlGaN/GaN-mHEMTs
  • rauscharme und breitbandige Module
  • Grenzfrequenzen von bis zu 1 THz
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Leistungselektronik

  • GaN-basierte Bauelemente, Schaltungen und Module
  • Monolithische und heterogene Integration
  • Laterale und vertikale 1200-V-Bauelemente
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Optoelektronik

  • Halbleiterlaser
  • Photodetektoren
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Quantensysteme

  • Quantensensorik
  • Quantencomputing Soft- und Hardware
  • Farbzentren in Diamant
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Leistungsangebot

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Elektronische Schaltungen

  • Integrierte Schaltungen und Module
  • Laterale und vertikale 1200-V-Bauelemente
  • Grenzfrequenzen von bis zu 1 THz
  • Multiproject Wafer Runs mit Front- wie Rückseitenprozessierung
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Laser und Photodetektoren

  • Lasermodule, Einzeldetektoren und Detektorarrays
  • Epitaxie von Laserstrukturen und IR-Detektorstrukturen
  • Front- und Rückseitenprozesstechnologie
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Materialentwicklung und Analytik

  • Epitaxie
  • Diamantsynthese
  • Hochfrequenzmessysteme
  • Materialanalytik für Halbleiter
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Applikationslabore

  • Applikationslabor, Quantensensorik
  • Infrarot-Laser-Spektroskopie
  • 3D-Messungen mit Millimeterwellen
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Das Fraunhofer IAF bietet Dienstleistungen entlang der gesamten III/V-Halbleiter-Wertschöpfungskette sowie im Bereich Quantencomputing-Software und -Simulation an. Mitarbeitende des Fraunhofer IAF können so passende technologische Prozessentwicklung für Kunden aus Forschung und Industrie erstellen und diese bei Design, Modellierung und Herstellung von integrierten Schaltungen unterstützen.

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FMD.projekte mit Beteiligung des Fraunhofer IAF

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